ผลิตภัณฑ์

บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำ > M29W640GH70NA6E ชิป IC ความจํา 64Mb 2.7 V ~ 3.6 V 64Mb

ประเภท

วงจรบูรณาการเฉพาะการใช้งาน ASICs

(100)

HOLT

(235)

ติดต่อ

ติดต่อ: Ms. Yili

โทรศัพท์: 86--18906811134

แฟ็กซ์: 86--18906811134

ติดต่อตอนนี้

โทรหาเรา

M29W640GH70NA6E ชิป IC ความจํา 64Mb 2.7 V ~ 3.6 V 64Mb

รายละเอียดสินค้า

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

คําอธิบาย: ไอซีแฟลช 64M ขนาน 48TSOP

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายสินค้า

เน้น: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                ชิป IC ความจํา M29W640GH70NA6E, ชิป IC ความจํา 64Mb, ไอซีแฟลชเมม 64MB
                              

เทคโนโลยี ::	แฟลช - NOR	ประเภทสินค้า ::	ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ ::	ไม่ลบเลือน	สต็อกโรงงาน::	0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า ::	70ns	แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ ::	48-ศปภ
เวลาเข้า ::	70ns	รูปแบบหน่วยความจำ ::	แฟลช
สถานะชิ้นส่วน::	ปราศการ	ขนาดหน่วยความจำ ::	64Mb (8M x 8, 4M x 16)
บรรจุภัณฑ์ ::	ตะกร้า	@ จำนวน ::	0
อุณหภูมิในการทำงาน ::	-40 °C ~ 85 °C (TA)	ปริมาณขั้นต่ำ ::	576
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ::	ขนาน	บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::	48-TFSOP (0.724", ความกว้าง 18.40 มม.)
ประเภทการติดตั้ง ::	การติดตั้งพื้นผิว	ความถี่สัญญาณนาฬิกา ::	-
แรงดัน - แหล่งจ่าย ::	2.7 โวลต์ ~ 3.6 โวลต์	ชุด ::	-
ผู้ผลิต ::	เทคโนโลยีไมครอน

เทคโนโลยี ::	แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า ::	ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ ::	ไม่ลบเลือน
สต็อกโรงงาน::	0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า ::	70ns
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ ::	48-ศปภ
เวลาเข้า ::	70ns
รูปแบบหน่วยความจำ ::	แฟลช
สถานะชิ้นส่วน::	ปราศการ
ขนาดหน่วยความจำ ::	64Mb (8M x 8, 4M x 16)
บรรจุภัณฑ์ ::	ตะกร้า
@ จำนวน ::	0
อุณหภูมิในการทำงาน ::	-40 °C ~ 85 °C (TA)
ปริมาณขั้นต่ำ ::	576
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ::	ขนาน
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::	48-TFSOP (0.724", ความกว้าง 18.40 มม.)
ประเภทการติดตั้ง ::	การติดตั้งพื้นผิว
ความถี่สัญญาณนาฬิกา ::	-
แรงดัน - แหล่งจ่าย ::	2.7 โวลต์ ~ 3.6 โวลต์
ชุด ::	-
ผู้ผลิต ::	เทคโนโลยีไมครอน

M29W640GH70NA6E ชิป IC ความจํา 64Mb 2.7 V ~ 3.6 V 64Mb

M29W640GH70NA6E จาก Micron Technology เป็น Memory ICs สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!

Tags:

วงจรรวม ICS

ชิป IC หน่วยความจำ

ไอซีการจัดการพลังงาน

ไอซีไดรเวอร์

IC ดิจิตอล

อินทรีย์อานาล็อก

IC สัญญาณผสมผสาน

วงจรบูรณาการคลื่นวิทยุ

วงจรบูรณาการเฉพาะการใช้งาน ASICs

ออดิโอและวีดีโอ ICs

ไอซีอินเทอร์เฟซ

ไอซีเซ็นเซอร์

ส่วนประกอบแบบพาสซีฟ

สต็อคของตนเอง

HOLT

M29W640GH70NA6E ชิป IC ความจํา 64Mb 2.7 V ~ 3.6 V 64Mb

ชิป IC ความจํา M29W640GH70NA6E

ชิป IC ความจํา 64Mb

ไอซีแฟลชเมม 64MB

PC28F128J3F75F นานด์ แฟลชเมมรี่ Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR ชิป IC ความจํา,

ชิป IC ความจํา 64-FBGA

MTFC8GACAENS-K1 AIT Nor Flash Ic 64Gb MMC เทคโนโลยีไมครอน

MT45W4MW16BFB-856 WT ชิป IC ความจํา 54-VFBGA

RC28F256P30T85A ความจํา Ics 256Mb 16M x 16 FLASH - NOR Surface Mount

MT28F800B3SG-9 B ความจํา IC ชิป 90ns อินเตอร์เฟซความจําคู่

M58LT256JSB8ZA6E Ic ชิปความทรงจํา 85ns 256Mb Surface Mount