รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไอซีDRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
เทคโนโลยี :: |
SDRAM - LPDDR มือถือ |
ประเภทสินค้า :: |
ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: |
ระเหย |
Factory Stock :: |
0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: |
15 วินาที |
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ :: |
90-VFBGA (8x13) |
เวลาเข้า :: |
5 วินาที |
รูปแบบหน่วยความจำ :: |
แรม |
สถานะชิ้นส่วน:: |
กิจกรรม |
ขนาดหน่วยความจำ :: |
128MB (4M x 32) |
บรรจุภัณฑ์ :: |
เทป & รีล (TR) |
@ qty :: |
0 |
อุณหภูมิในการทำงาน :: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
ปริมาณขั้นต่ำ :: |
2500 |
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:: |
ขนาน |
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง :: |
90-TFBGA |
ประเภทการติดตั้ง :: |
การติดตั้งพื้นผิว |
ความถี่สัญญาณนาฬิกา :: |
200MHz |
แรงดัน - แหล่งจ่าย :: |
1.7 โวลต์ ~ 1.95 โวลต์ |
ชุด :: |
- |
ผู้ผลิต :: |
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์ |
เทคโนโลยี :: |
SDRAM - LPDDR มือถือ |
ประเภทสินค้า :: |
ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: |
ระเหย |
Factory Stock :: |
0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: |
15 วินาที |
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ :: |
90-VFBGA (8x13) |
เวลาเข้า :: |
5 วินาที |
รูปแบบหน่วยความจำ :: |
แรม |
สถานะชิ้นส่วน:: |
กิจกรรม |
ขนาดหน่วยความจำ :: |
128MB (4M x 32) |
บรรจุภัณฑ์ :: |
เทป & รีล (TR) |
@ qty :: |
0 |
อุณหภูมิในการทำงาน :: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
ปริมาณขั้นต่ำ :: |
2500 |
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:: |
ขนาน |
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง :: |
90-TFBGA |
ประเภทการติดตั้ง :: |
การติดตั้งพื้นผิว |
ความถี่สัญญาณนาฬิกา :: |
200MHz |
แรงดัน - แหล่งจ่าย :: |
1.7 โวลต์ ~ 1.95 โวลต์ |
ชุด :: |
- |
ผู้ผลิต :: |
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์ |
