รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA
เทคโนโลยี :: |
แฟลช - NAND, LPDRAM มือถือ |
ประเภทสินค้า :: |
ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: |
ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: |
0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ :: |
130-VFBGA (8x9) |
เวลาเข้า :: |
- |
รูปแบบหน่วยความจำ :: |
แฟลช, แรม |
สถานะชิ้นส่วน:: |
ปราศการ |
ขนาดหน่วยความจำ :: |
1Gb (64M x 16) ((NAND), 512Mb (32M x 16) ((LPDRAM) |
บรรจุภัณฑ์ :: |
ขนาดใหญ่ |
@ qty :: |
0 |
อุณหภูมิในการทำงาน :: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
ปริมาณขั้นต่ำ :: |
1,000 |
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:: |
ขนาน |
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง :: |
130-VFBGA |
ประเภทการติดตั้ง :: |
การติดตั้งพื้นผิว |
ความถี่สัญญาณนาฬิกา :: |
200MHz |
แรงดัน - แหล่งจ่าย :: |
1.7 โวลต์ ~ 1.95 โวลต์ |
ชุด :: |
- |
ผู้ผลิต :: |
เทคโนโลยีไมครอน |
เทคโนโลยี :: |
แฟลช - NAND, LPDRAM มือถือ |
ประเภทสินค้า :: |
ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: |
ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: |
0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ :: |
130-VFBGA (8x9) |
เวลาเข้า :: |
- |
รูปแบบหน่วยความจำ :: |
แฟลช, แรม |
สถานะชิ้นส่วน:: |
ปราศการ |
ขนาดหน่วยความจำ :: |
1Gb (64M x 16) ((NAND), 512Mb (32M x 16) ((LPDRAM) |
บรรจุภัณฑ์ :: |
ขนาดใหญ่ |
@ qty :: |
0 |
อุณหภูมิในการทำงาน :: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
ปริมาณขั้นต่ำ :: |
1,000 |
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:: |
ขนาน |
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง :: |
130-VFBGA |
ประเภทการติดตั้ง :: |
การติดตั้งพื้นผิว |
ความถี่สัญญาณนาฬิกา :: |
200MHz |
แรงดัน - แหล่งจ่าย :: |
1.7 โวลต์ ~ 1.95 โวลต์ |
ชุด :: |
- |
ผู้ผลิต :: |
เทคโนโลยีไมครอน |
