รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
ประเภท: |
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC)
ความจํา
ความจํา |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรี่ย์: |
- |
โปรแกรม DigiKey: |
ไม่ยืนยัน |
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ: |
ขนาน |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า: |
25 น |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
48-เอฟบีจีเอ (6x10) |
ประเภทหน่วยความจำ: |
ไม่ลบเลือน |
Mfr: |
อินฟินิออน เทคโนโลยี |
ขนาดหน่วยความจำ: |
4Mbit |
โลเตจ - การให้บริการ: |
2.7V ~ 3.6V |
เข้าถึงเวลา: |
25 น |
กล่อง / กระเป๋า: |
48-TFBGA |
องค์การหน่วยความจำ: |
512K x 8 |
อุณหภูมิการทํางาน: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
เทคโนโลย: |
NVSRAM (SRAM ไม่ลบเลือน) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
CY14B104 |
รูปแบบหน่วยความจำ: |
เอ็นวีเอสแรม |
ประเภท: |
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC)
ความจํา
ความจํา |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรี่ย์: |
- |
โปรแกรม DigiKey: |
ไม่ยืนยัน |
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ: |
ขนาน |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า: |
25 น |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
48-เอฟบีจีเอ (6x10) |
ประเภทหน่วยความจำ: |
ไม่ลบเลือน |
Mfr: |
อินฟินิออน เทคโนโลยี |
ขนาดหน่วยความจำ: |
4Mbit |
โลเตจ - การให้บริการ: |
2.7V ~ 3.6V |
เข้าถึงเวลา: |
25 น |
กล่อง / กระเป๋า: |
48-TFBGA |
องค์การหน่วยความจำ: |
512K x 8 |
อุณหภูมิการทํางาน: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
เทคโนโลย: |
NVSRAM (SRAM ไม่ลบเลือน) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
CY14B104 |
รูปแบบหน่วยความจำ: |
เอ็นวีเอสแรม |
