ประเภท:	เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา	ขนาดหน่วยความจำ:	256Mbit
สถานะสินค้า:	กิจกรรม	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:	ท่อ	ซีรี่ย์:	-
โปรแกรม DigiKey:	ไม่ยืนยัน	อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:	ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:	-	แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	54-TSOP II
ประเภทหน่วยความจำ:	ระเหย	Mfr:	ISSI บริษัท อินทิเกรเต็ด ซิลิคอน โซลูชั่น อิงค์
ความถี่นาฬิกา:	166 เมกะเฮิรตซ์	โลเตจ - การให้บริการ:	3V ~ 3.6V
เข้าถึงเวลา:	5.4 น	กล่อง / กระเป๋า:	54-TSOP (0.400", ความกว้าง 10.16 มม.)
องค์การหน่วยความจำ:	16ม.x16	อุณหภูมิการทํางาน:	-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:	เอสดีแรม	เลขสินค้าพื้นฐาน:	IS42S16160
รูปแบบหน่วยความจำ:	แรม

ประเภท:	เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:	256Mbit
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:	ท่อ
ซีรี่ย์:	-
โปรแกรม DigiKey:	ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:	ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:	-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	54-TSOP II
ประเภทหน่วยความจำ:	ระเหย
Mfr:	ISSI บริษัท อินทิเกรเต็ด ซิลิคอน โซลูชั่น อิงค์
ความถี่นาฬิกา:	166 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:	3V ~ 3.6V
เข้าถึงเวลา:	5.4 น
กล่อง / กระเป๋า:	54-TSOP (0.400", ความกว้าง 10.16 มม.)
องค์การหน่วยความจำ:	16ม.x16
อุณหภูมิการทํางาน:	-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:	เอสดีแรม
เลขสินค้าพื้นฐาน:	IS42S16160
รูปแบบหน่วยความจำ:	แรม