ประเภท:	เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา	ขนาดหน่วยความจำ:	512Mbit
สถานะสินค้า:	ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®	ซีรี่ย์:	-
โปรแกรม DigiKey:	ไม่ยืนยัน	อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:	SPI - ควอด I/O
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:	50μs, 2.4ms	แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	16-สบพ
ประเภทหน่วยความจำ:	ไม่ลบเลือน	Mfr:	บริษัท ไกกาเดวิส เซมคอนดักเตอร์ (HK) จํากัด
ความถี่นาฬิกา:	104 เมกะเฮิรตซ์	โลเตจ - การให้บริการ:	2.7V ~ 3.6V
กล่อง / กระเป๋า:	16-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม.)	องค์การหน่วยความจำ:	64 ม. x 8
อุณหภูมิการทํางาน:	-40 °C ~ 85 °C (TA)	เทคโนโลย:	แฟลช - NOR
เลขสินค้าพื้นฐาน:	GD25S512	รูปแบบหน่วยความจำ:	แฟลช

ประเภท:	เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:	512Mbit
สถานะสินค้า:	ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรี่ย์:	-
โปรแกรม DigiKey:	ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:	SPI - ควอด I/O
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:	50μs, 2.4ms
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	16-สบพ
ประเภทหน่วยความจำ:	ไม่ลบเลือน
Mfr:	บริษัท ไกกาเดวิส เซมคอนดักเตอร์ (HK) จํากัด
ความถี่นาฬิกา:	104 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:	2.7V ~ 3.6V
กล่อง / กระเป๋า:	16-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม.)
องค์การหน่วยความจำ:	64 ม. x 8
อุณหภูมิการทํางาน:	-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:	แฟลช - NOR
เลขสินค้าพื้นฐาน:	GD25S512
รูปแบบหน่วยความจำ:	แฟลช