รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไอซีสแรม 9MBIT ขนาน 100TQFP
ประเภท: |
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC)
ความจํา
ความจํา |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
ตะกร้า |
ซีรี่ย์: |
- |
โปรแกรม DigiKey: |
ไม่ยืนยัน |
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ: |
ขนาน |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
100-TQFP (14x14) |
ประเภทหน่วยความจำ: |
ระเหย |
Mfr: |
เรเนซัส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา |
ขนาดหน่วยความจำ: |
9เมกะบิต |
โลเตจ - การให้บริการ: |
3.135V ~ 3.465V |
เข้าถึงเวลา: |
8 น |
กล่อง / กระเป๋า: |
100-LQFP |
องค์การหน่วยความจำ: |
512K x 18 |
อุณหภูมิการทํางาน: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
เทคโนโลย: |
SRAM - ซิงโครนัส, SDR (ZBT) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
71V65903 |
รูปแบบหน่วยความจำ: |
แรม |
ประเภท: |
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC)
ความจํา
ความจํา |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
ตะกร้า |
ซีรี่ย์: |
- |
โปรแกรม DigiKey: |
ไม่ยืนยัน |
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ: |
ขนาน |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
100-TQFP (14x14) |
ประเภทหน่วยความจำ: |
ระเหย |
Mfr: |
เรเนซัส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา |
ขนาดหน่วยความจำ: |
9เมกะบิต |
โลเตจ - การให้บริการ: |
3.135V ~ 3.465V |
เข้าถึงเวลา: |
8 น |
กล่อง / กระเป๋า: |
100-LQFP |
องค์การหน่วยความจำ: |
512K x 18 |
อุณหภูมิการทํางาน: |
-40 °C ~ 85 °C (TA) |
เทคโนโลย: |
SRAM - ซิงโครนัส, SDR (ZBT) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
71V65903 |
รูปแบบหน่วยความจำ: |
แรม |
