รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: MMC แบบฝังอุตสาหกรรม, EM-30,
ประเภท: |
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC)
ความจํา
ความจํา |
ขนาดหน่วยความจำ: |
1Tbit |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
ตะกร้า |
ซีรี่ย์: |
EM-30 |
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ: |
อีเอ็มเอ็มซี |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
153-BGA (11.5x13) |
ประเภทหน่วยความจำ: |
ไม่ลบเลือน |
Mfr: |
สวิสบิต |
ความถี่นาฬิกา: |
200 MHz |
โลเตจ - การให้บริการ: |
2.7V ~ 3.6V |
กล่อง / กระเป๋า: |
153-TFBGA |
องค์การหน่วยความจำ: |
128G x 8 |
อุณหภูมิการทํางาน: |
-40 °C ~ 85 °C |
เทคโนโลย: |
แฟลช - NAND (TLC) |
รูปแบบหน่วยความจำ: |
แฟลช |
ประเภท: |
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC)
ความจํา
ความจํา |
ขนาดหน่วยความจำ: |
1Tbit |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
ตะกร้า |
ซีรี่ย์: |
EM-30 |
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ: |
อีเอ็มเอ็มซี |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
153-BGA (11.5x13) |
ประเภทหน่วยความจำ: |
ไม่ลบเลือน |
Mfr: |
สวิสบิต |
ความถี่นาฬิกา: |
200 MHz |
โลเตจ - การให้บริการ: |
2.7V ~ 3.6V |
กล่อง / กระเป๋า: |
153-TFBGA |
องค์การหน่วยความจำ: |
128G x 8 |
อุณหภูมิการทํางาน: |
-40 °C ~ 85 °C |
เทคโนโลย: |
แฟลช - NAND (TLC) |
รูปแบบหน่วยความจำ: |
แฟลช |
