ประเภท:	เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา	ขนาดหน่วยความจำ:	256Mbit
สถานะสินค้า:	ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:	ตะกร้า	ซีรี่ย์:	-
โปรแกรม DigiKey:	ไม่ยืนยัน	อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:	ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:	15 วินาที	แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	66-TSOP II
ประเภทหน่วยความจำ:	ระเหย	Mfr:	ISSI บริษัท อินทิเกรเต็ด ซิลิคอน โซลูชั่น อิงค์
ความถี่นาฬิกา:	166 เมกะเฮิรตซ์	โลเตจ - การให้บริการ:	2.3V~2.7V
เข้าถึงเวลา:	700 พิโคเซคอน	กล่อง / กระเป๋า:	66-TSSOP (0.400", ความกว้าง 10.16 มม.)
องค์การหน่วยความจำ:	32 ม. x 8	อุณหภูมิการทํางาน:	-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:	SDRAM - DDR	เลขสินค้าพื้นฐาน:	IS43R83200
รูปแบบหน่วยความจำ:	แรม

ประเภท:	เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:	256Mbit
สถานะสินค้า:	ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:	ตะกร้า
ซีรี่ย์:	-
โปรแกรม DigiKey:	ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:	ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:	15 วินาที
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	66-TSOP II
ประเภทหน่วยความจำ:	ระเหย
Mfr:	ISSI บริษัท อินทิเกรเต็ด ซิลิคอน โซลูชั่น อิงค์
ความถี่นาฬิกา:	166 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:	2.3V~2.7V
เข้าถึงเวลา:	700 พิโคเซคอน
กล่อง / กระเป๋า:	66-TSSOP (0.400", ความกว้าง 10.16 มม.)
องค์การหน่วยความจำ:	32 ม. x 8
อุณหภูมิการทํางาน:	-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:	SDRAM - DDR
เลขสินค้าพื้นฐาน:	IS43R83200
รูปแบบหน่วยความจำ:	แรม