ประเภท:	เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:	-	โปรแกรม DigiKey:	ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:	ขนาน	เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:	45ns
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	44-TSOP II	ประเภทหน่วยความจำ:	ระเหย
Mfr:	ISSI บริษัท อินทิเกรเต็ด ซิลิคอน โซลูชั่น อิงค์	ขนาดหน่วยความจำ:	8 เมกะบิต
โลเตจ - การให้บริการ:	2.2V~3.6V	เข้าถึงเวลา:	45 น
กล่อง / กระเป๋า:	44-TSOP (0.400", ความกว้าง 10.16 มม.)	องค์การหน่วยความจำ:	512K x 16
อุณหภูมิการทํางาน:	-40 °C ~ 85 °C (TA)	เทคโนโลย:	SRAM - อะซิงโครนัส
เลขสินค้าพื้นฐาน:	IS62WV51216	รูปแบบหน่วยความจำ:	แรม

ประเภท:	เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:	-
โปรแกรม DigiKey:	ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:	ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:	45ns
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	44-TSOP II
ประเภทหน่วยความจำ:	ระเหย
Mfr:	ISSI บริษัท อินทิเกรเต็ด ซิลิคอน โซลูชั่น อิงค์
ขนาดหน่วยความจำ:	8 เมกะบิต
โลเตจ - การให้บริการ:	2.2V~3.6V
เข้าถึงเวลา:	45 น
กล่อง / กระเป๋า:	44-TSOP (0.400", ความกว้าง 10.16 มม.)
องค์การหน่วยความจำ:	512K x 16
อุณหภูมิการทํางาน:	-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:	SRAM - อะซิงโครนัส
เลขสินค้าพื้นฐาน:	IS62WV51216
รูปแบบหน่วยความจำ:	แรม